光制工艺主要少骤 1基片前处理 为病保光制胶能唱圆表面很好精贴，形成发平滑日始合得很好的限，必频通行表而准备保持表国干燥且干净2涂光刻胶 途胶的目标是在品园表面建立薄的均匀的，并且没有有缺陷的光刻；会有一些危害影响，剧毒不至于，但是净化间本身会缺氧，无尘，会降低人的抵抗力，长期缺氧可能会影响记忆力等光刻掩膜版和衬底制作的工艺 单晶硅片衬底制作工程无毒，但是在把硅柱切割成硅片的时候，会有很多硅尘出现。
在ULSI工艺中，Si3N4的用途主要有两种一种是在二氧化硅层上通过LPCVD 淀积Si3N4薄膜，然后经过光刻和干法刻蚀形成图形，做为接下来氧化或扩散的掩蔽层，但是并不成为器件的组成部分这类Si3N4薄膜可以使用CF4， CF4加O2， SF6和NF3的；光源强弱光源与Si片距离1光刻工艺的光源强度太低，如果选择的曝光时间少就会导致曝光不足，光刻胶反应不充分，显影时部分胶膜被溶解2光源与Si片距离太远，曝光时间少会使不感光部分的边缘微弱感光，产生“晕光”。
光刻工艺原理
1、光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。
2、是90纳米查询官网可以知道，如今最先进的光刻机是600系列，光刻机最高的制作工艺可以达到90纳米但是相比于荷兰ASML公司旗下的EUV光刻机，最高可以达到5纳米的工艺制作而且即将推出3纳米工艺制作的芯片但是据相关信息。
3、光刻工艺概述下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解光刻过程首先，通过金属化过程，在硅衬底上布置一层仅数纳米厚的金属层然后在这层金属上覆上一层光刻胶这层光阻剂在曝光一般是紫外线后可以被特定溶液显影液。
4、1 wafer 表面处理2 旋涂光刻胶包括抗反射层3 前烘4 曝光5 后烘6 显影，有的需要在显影前进行坚膜7 刻蚀。
5、经过刻蚀或者离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅片的表面除去，这一步骤简称为去胶在集成电路工艺中，去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶，在湿法去胶中又分为有机溶剂去胶和无机溶剂去胶。
6、然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图即芯片一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干涂底旋涂光刻胶软烘对准曝光后烘显影硬烘激光刻蚀等工序经过一次光刻的芯片可以继续涂胶曝光越复杂的。
7、光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响图形的错位也会导致类似的不良结果光刻工艺中的另一个问题是缺陷光刻是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成在。
光刻工艺所需要的三要素为
1、现在很多光刻胶的光学性质发生了很大改变，不一定只是黄光才不敏感但是之前一直用黄光照明，那么就一直沿用下来了另一个原因是，光刻过程中可能需要很多光刻胶，万一用到一种早期光刻胶呢所以还是用黄光比较保险。
2、光刻工艺主要步骤 1 基片前处理 为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，2 涂光刻胶 涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。
3、在湿法腐蚀的过程中，通过使用特定的熔液与需要腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖区域的薄膜湿法腐蚀的优点是工艺简单，但是在湿法腐蚀中所进行的化学反应没有特定方向，所以会形成各向同性的腐蚀效果各。
4、光刻胶相当于照相机的胶卷，没有光刻胶图形无法复制到衬底上也就无从谈制作任何电路了光刻胶分为正和负光刻胶，见光后溶于显影剂的是正光刻胶，反之见光不溶为负光刻工艺是wafer粘结光刻胶烘干曝光。
5、工作量大，经常加班1光刻工艺的工作主要负责设计工艺样式，会根据要求进行增加任务量，工作量大消耗劳动力是劳累的2光刻工艺的工作会根据客户的要求按时制作完成，进行赶工期会实行加班，是很累的。
