简单解释一下MOS场效应管的工作原理MOS 场效应管也被称为MOSFET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor金属氧化物半导体场效应管的缩写它普通有耗尽型和加强型两种本文运用的为加强型MOS 场效应管。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比beta另一种晶体管，叫做场效应管FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化FET的增益。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID， 用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制”更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”1场效应晶体管Field Effect Transistor缩写FET简称场效应管一般的晶体管是由两种极性的。
主要有两种类型junctionFETJFET和金属氧化物半导体场效应管metaloxidesemiconductorFET，简称MOSFET由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件具有输入电阻高10~10Ω噪声小功耗。
1场效应管是电压控制器件，它通过VGS栅源电压来控制ID漏极电流2场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻107～1012Ω很大3利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好4组成的放大电路的。
1场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制。
场效应管的特点就是利用多数载流子导电，温度稳定性较好场效应管是电压控制器件，它通过VGS栅源电压来控制ID漏极电流场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻1071012Ω很大它组成的放大电路的电。
1场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID2场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大3它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好4它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放。
