业绩大盘跌停平稳，且短期走势加强，可继续持有或买入

今天三安光电股票行情观念：成绩平稳，且短期走势加强，可持续持有或买入

1月4日：短线大盘有望持续上行 有望完结2

今天可申购新股：浩欧博。今天可申购可转债：无。今天上市新股：中瓷电子。今...

恒瑞医药(600276)股票01月04日行情观念：成绩一般，但短期走势加强，可考虑低吸三安光电(600703)股票01月04日行情观念：成绩平稳，且短期走势加强，可持续持有或买入伊利股份(600887)股票01月04日行情观念：具有中长期出资价值，且处于强势多头阶段，短线回档时可考虑低吸布局我国中车(601766)股票01月04日行情观念：基本面一般，空头趋势，主张调仓换股长安轿车(000625)股票01月04日行情观念：成绩平稳，但不是短线交易机遇我国铝业(601600)股票01月04日行情观念：成绩平稳，走势一般，主张考虑波段操作

三安光电股票2021年01月04日11时52分报价数据:

600703三安光电27.470.461.70327.0127.2727.6326.84109.13111814.91

以下三安光电股票相关新闻资讯：

三安光电股份有限公司全资子公司获得补助款的公告

??证券代码：600703 股票简称：三安光电 编号：临2021-001

??三安光电股份有限公司

??全资子公司获得补助款的公告

??本公司董事会及整体董事确保本公告内容不存在任何虚伪记载、误导性陈说或许严重遗失，并对其内容的真实性、准确性和完整性承当单个及连带职责。

??一 、获得政府补助的基本状况

??依据本公司与长沙高新技能工业开发区办理委员会签定的《项目出资制作合同》，长沙高新技能工业开发区办理委员会赞同拨付本公司全资子公司湖南三安半导体有限职责公司（以下简称“湖南三安”）工业扶持资金10,000万元。该笔金钱湖南三安已于2020年12月30日收到。

??厦门火炬高技能工业开发区办理委员会为支撑本公司全资子公司厦门三安光电有限公司（以下简称“厦门三安”）的展开，赞同拨交给厦门三安投产奖赏等补助款13,116.27万元。该笔金钱厦门三安已于2020年12月31日收到。

??二、补助的类型及其对上市公司的影响

??依据《企业管帐准则第16号一政府补助》的规则，湖南三安收到的该笔工业扶持资金在收到时确以为递延收益，并在相关项目完结后分期计入损益；厦门三安收到的该笔奖赏资金在收到时确以为当期收益，将对公司2020年度成绩发生活跃影响。详细管帐处理及对公司当年影响状况终究以年度审计组织承认后的成果为准。请出资者留意危险。

??特此公告。

??三安光电股份有限公司董事会

??2021年1月4日

国金电子研讨

新能源车快速展开，碳化硅迎来展开良机

出资主张

?? 功能优异，第三代半导体应运而生。第三代半导体资料具有宽的禁带宽度，高击穿电场、高热导率及高电子饱满速率，因而更适合于制作高温、高频及大功率器材。2019年我国SiC、GaN 电力电子器材运用商场中，消费电源是第一大运用，占比28%，工业及商业电源次之，占比26%，新能源轿车排第三，占比11%，未来跟着SiC、GaN产品的本钱下降，性价比优势开端凸显，将会有更多的运用场景。猜测2027 年SiC器材的商场规划将从2020的6亿美元添加至 100 亿美元，呈现高速添加态势。

职业观念

???新能源轿车快速展开，SiC迎来展开良机。SiC运用于新能源车，能够下降损耗、减小模块体积分量、进步续航才能。Model 3首先选用SiC，敞开了电动轿车运用SiC先河，2020年比亚迪汉也选用了SiC模块，有用进步了加快功能、功率及续航才能，丰田燃料电池车Mirai车型搭载了SiC，功率模块体积下降了30%，损耗下降了70%。新能源轿车迎来高速添加期，2020年11月，新能源轿车产销别离完结19.8万辆和20万辆，同比别离添加75.1%和104.9%。猜测2025年全球新能源轿车有望到达1100万辆，我国占50%。新能源轿车需求新增许多的功率半导体，48V轻混需求添加90美元以上，电动或许混动需求添加330美元以上，假如选用SiC器材，则单车价值量添加更多。现在有许多电动轿车品牌正在研制SiC方案，咱们以为，跟着本钱下降和技能的逐步老练，SiC在新能源车中具有较大的运用空间。其他范畴也有望快速浸透，猜测2025年光伏逆变器SiC浸透率将由2020年的 10%进步到50%；2030年轨交SiC浸透率将由2018年的 2%进步到30%。

?? ?碳化硅6英寸将成为干流，本钱有望大幅下降。SiC晶片向大尺度展开，以不断进步芯片利用率和出产功率。随同 CREE 、 II VI 等企业6 英寸SiC晶片制作技能的老练， 6 英寸产品质量和安稳性逐步进步，国外下流器材制作厂商对SiC晶片的收购需求逐步由 4 英寸向 6 英寸转化，国内也正在活跃向6寸方向展开。2018-2020年，SiC产品价格坚持平稳，估计2021年在电动轿车需求拉动下，价格持续坚持安稳；随同许多扩产及产能不断开释，将会呈现较大起伏本钱下降，猜测2025年SiC产品价格仅有现在的1/5~1/4。

?? ?美、欧、日系企业优势显着，我国SiC工业链逐步完善。欧美日企业抢先，其间美国优势最为显着，2019年全球 SiC 产值的 70%~80%来自美国公司，其间Cree一家独大，2020年上半年SiC晶片Cree占比45%。国内SiC工业链逐步完善，企业快速展开，市占率进步较快，天科合达的SiC晶片全球市占率从2018年的1.7%进步到了2020年上半年的5.3%，天科合达的SiC晶片全球市占率从2018年的0.5%进步到了2020年上半年的2.6%。猜测2025年我国碳化硅晶片占全球比将从2020年的8.6%进步至16%。

???引荐组合：科锐（Cree）、意法半导体（STMicro）、英飞凌（Infineon）、斯达半导、三安光电

危险提示

?? ?SiC本钱居高不下，各范畴运用不达预期，新能源车展开低于预期。

一、第三代半导体优势渐显，运用多点开花

1.1功能优异，第三代半导体应运而生

? 半导体经过近百年的展开后，现在现已形成了三代半导体资料。第一代半导体资料首要是指硅、锗元素等单质半导体资料；第二代半导体资料首要是指化合物半导体资料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb）；01三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；第三代半导体资料首要以碳化硅(SiC) 、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体资料，其间最为重要的便是SiC和GaN。

?? SiC和GaN基MOSFETs打破功能极限，技能晋级势在必行：和第一代、第二代半导体资料比较，第三代半导体资料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱满速率及更高的抗辐射才能，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器材。为了寻求更小的器材体积以及更好的功能，功率器材厂商逐步推进下一代技能方案的SiC和GaN基MOSFETs。举例来讲，1）SiC基MOSFETs相较于硅基MOSFETs具有高度安稳的晶体结构，作业温度可达600 ℃；2）SiC的击穿场强是硅的十倍多，因而SiC基MOSFETs阻断电压更高；3）SiC的导通损耗比硅器材小许多，并且随温度改变很小；4）SiC的热导系数几乎是Si资料的2.5倍，饱满电子漂移率是Si的2倍，所以SiC器材能在更高的频率下作业。

?? SiC MOSFET在600V以上具有较强的优势，最高可运用于6500V高压。相对于传统的Si基IGBT，SiC MOSFET在电流密度、作业频率、牢靠性、漏电流等功能指标方面优势显着。

?? SiC首要运用于白色家电、新能源（电动轿车、风电、光伏）、工业运用等。

1.2碳化硅可下降能耗，缩小器材体积

??碳化硅导通损耗和开关损耗优势显着。就电动轿车逆变器而言，功率器材是中心能量转化单元，其损耗包含两部分，导通损耗Econ和开关损耗Esw。碳化硅在电流比较小也便是轻载的工况下导通损耗优势是比较显着的，再结合轻载工况开关损耗占比更大（碳化硅开关损耗也低），这也印证了为什么碳化硅更适合城市工况。因而逆变器运用碳化硅MOS体现在功率Map上便是高效区面积比较大。别的，碳化硅MOS翻开时双导游通，又规避了IGBT模块在续流时，FRD的导通压降比IGBT大的问题，进一步下降导通损耗。

?? IGBT模块的FRD在开关进程中存在反向恢复电流，反向恢复电流一方面会给体系带来安全作业区、电磁兼容等负面影响，别的也额定添加了反向恢复损耗；而碳化硅MOS则从资料及结构自身的特性上决议其十分小的反向恢复电流；功率器材开关损耗很大程度上是因为其开关速度决议的，IGBT自身因为注册时FRD的反向恢复进程，以及关断时存在拖尾电流，导致其开关速度受到限制，开关损耗相对较高；而碳化硅MOS更像是一个刚性开关，极快的开关速度带来更低的开关损耗。

?碳化硅可下降整车能耗。依据海外组织实验数据，依照WLTC工况（更挨近实践城市工况）续航才能的进步，依据750V IGBT模块及1200V 碳化硅模块仿真显现，400V母线电压下，由750V IGBT模块替换为1200V碳化硅模块，整车能耗下降6.9%；假如电压进步至800V，整车能耗将进一步下降7.6%。

? 碳化硅除了有用率优势外，还具有以下优势：

? ? ? ?? 相同电压、电流等级状况下，碳化硅MOS芯片面积比IGBT芯片要小，规划出的功率模块功率密度更大，更细巧；

? ? ? ??? 碳化硅芯片耐更高的温度，理论上远超175℃；

? ? ? ?? 高频电源规划能够缩小体系储能器材的体积，例如大电感及大容量电容等。

?? ?SiC电力电子器材阅历了与Si器材相似的展开进程，现在以SBD与MOSFET技能最为老练。

?? ?特斯拉Model3及比亚迪汉已选用SiC模块，SiC模块优势显着，跟着本钱的进一步下降，未来将越来越多的电动轿车选用SiC模块，车用将是SiC模块最大的添加动力。

?? ??在车用方面，SiC MOSFET在功能方面显着占优，能够下降损耗，减小模块体积分量，IGBT在牢靠性鲁棒性方面占优。碳化硅器材运用于车载充电 体系和电源转化体系，能够有用下降开关损耗、进步极限作业温度 、 进步体系功率。现在全球已有超越 20 家轿车厂商在车载充电体系中运用碳化硅功率器材；碳化硅器材运用于新能源轿车充电桩，能够减小充电桩体积，进步充电速度。

?? SiC虽好，但良率低、本钱较高是限制展开要素。尽管SiC是长期趋势，可是SiCMOSFET 短期内难以代替 IGBT。SiC 在磊晶制作上有资料应力的不共同性，形成晶圆尺度在扩展时磊晶层接合面应力会超出拉伸极限，导致晶格损坏，下降了产品良率，故现在 SiC 芯片成品率低，晶圆尺度干流仍坚持 4 寸或 6 寸，无法获得大尺度晶圆本钱优势，出产本钱过高。当时限制SiC器材展开的首要要素在于其昂扬的价格，而本钱的首要决议要素是衬底和晶圆尺度。跟着未来SiC向大尺度方向展开，良率有望进一步进步，本钱有望进一步下降，运用空间有望进一步翻开。

1.3碳化硅6英寸将成为干流，本钱有望大幅下降

???碳化硅晶片尺度向大尺度方向展开，6英寸晶片将成为干流。与硅片相似，第三代半导体碳化硅晶片向大尺度方向展开，以不断进步下流对碳化硅晶片的利用率和出产功率。随同 CREE 、 II VI 等企业6 英寸碳化硅晶片制作技能的老练完善， 6 英寸产品质量和安稳性逐步进步，国外下流器材制作厂商对碳化硅 晶片的收购需求逐步由 4 英寸向 6 英寸转化。国内也正在活跃向6寸方向展开，在 8 英寸碳化硅晶片没有完结工业化的状况下， 6 英寸碳化硅晶片将成为商场主 流产品。

???猜测SiC晶片大幅下降。2018-2020年期间，SiC产品价格一向平稳，估计2021年价格依然会坚持安稳；跟着产能不断开释，半导体年代工业数据中心估计，将会呈现较大起伏价格跌落，猜测2025年SiC产品价格仅有现在的1/5~1/4。

二、多范畴需求驱动，碳化硅高速生长

2.1碳化硅商场生长动力首要来自新能源轿车、光伏等

?? 我国作为全球最大的新能源轿车商场，跟着特斯拉等品牌开端许多推进 SiC 解决方案，国内的厂商也快速跟进，以比亚迪为代表的整车厂商开端全方位布局，推进第三代半导体器材的在轿车范畴加快。第三代半导体器材在充电桩范畴的浸透快于整车商场，首要运用是直流充电。2019 年，新能源轿车细分商场的 SiC 器材运用规划（含整车和充电设备）约为 4.2 亿元，较上年添加了 70%，未来五年估计将坚持超越 30%的年均添加。2019 年，第三代半导体电力电子器材在工业及商业电源的商场规划挨近 9 亿元，增速超越 30%。受 5G 浪潮、轿车电气化、物联、才智城市、军用雷达等微观要素推进，终端的消费电子、轿车电子带来更新换代需求；而云端数据中心催化了服务器商场的高速添加；一起 5G 基站新浪潮带来了通讯电源商场的迸发。一方面受通讯电源、服务器电源的商场高速添加影响，另一方面在工商业电源中本钱敏感度稍低，跟着 SiC、GaN 产品的本钱下降，许多解决方案的出台，第三代半导体产品的性价比开端凸显，因而工商业范畴，特别是毛利较高的高端商场，新技能的浸透较预期的快。

2.2猜测2027 年碳化硅 功率器材的商场规划将 超越 100 亿 美元

?? 2018 年碳化硅功率器材商场规划约 3.9 亿美元，受新能源轿车巨大需求的驱 动 以及电力设备等范畴的 带动 ，IHS猜测到 2027 年碳化硅 功率器材的商场规划将 超越 100 亿 美元。2021年起，获益电动轿车拉动，SiC MOSFET将坚持较快的速度添加，成为最热销的分立SiC功率器材。

2.3猜测2025年光伏发电逆变器SiC浸透率50%

?? 在光伏发电运用中，依据硅基器材的传统逆变器本钱 约占体系 10% 左右，却是体系能量损耗的首要 来历之一。运用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与 碳化硅 SBD 结合 的功率模块的光伏逆变器，转化功率可从 96%进步至99% 以上，能量损耗 下降 50% 以上，设备循环寿数进步 50 倍，然后能够缩小体系体积 、添加功率密度、延伸器材运用寿数 、下降出产本钱 。高效、高功率密度、高牢靠和低本钱是光伏逆变器的未来展开趋势。在组串式和集中式光伏逆变器中，碳化硅产品估计会逐步代替硅基器材。

2.4猜测2030年轨道交通SiC浸透率30%

???城市轨道车辆和高速列车是轨道交通未来展开的首要动力。轨道交通车辆中许多运用功率半导体器材，其牵引变流器、辅佐变流器、主辅一体变流器、电力电子变压器、电源充电机都有运用碳化硅器材的需求。其间牵引变流器是机车大功率沟通传动体系的中心配备，将 碳化硅器材运用于轨道交通牵引变流器能极大发挥 碳化硅 器材高温、高频和低损耗特性， 进步 牵引变流器设备功率，契合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变流设备的运用需求进步体系的体效能 。2012 年 包含 碳化硅 SBD 的混合碳化硅 功率模块在东京地铁银座线37列车辆中商业化运用，完结了列车牵引体系节能作用的显着进步、电动机能量损耗的大幅下降和冷却 单元 的小型化 ，2014 年日本小田急电铁新式通勤车辆配备了三菱电机3300V/1500A全碳化硅功率模块逆变器，开关损耗下降 55%、体积和分量削减65 %，电能损耗下降20%~36%。2018年碳化硅器材在轨道交通总占比约为2%，CASA猜测，2030年轨道交通碳化硅器材占比将到达30%。

三、碳化硅在电动轿车范畴有望大显神通

???新能源车功率半导体价值量大幅添加：新增功率器材价值量首要来自于轿车的“三电”体系，包含电力操控，电力驱动和电池体系。在动力操控单元中，IGBT或许SiC模块将高压直流电转化为驱动三相电机的沟通电；在车载充电器AC/DC和DC/DC直流转化器中，都会用到IGBT或许SiC、MOS、SBD单管；在电动助力转向、水泵、油泵、PTC、空调压缩机等高压辅佐操控器中都会用到IGBT单管或许模块；在ISG启停体系、电动车窗雨刮等低压操控器中都会用到MOS单管。

3.1 Model 3首先选用SiC MOSFET，敞开了电动轿车运用SiC先河

?? 特斯拉逆变器模组上首先选用了24颗碳化硅SiC MOSFET，该产品由意法半导体供给，随后英飞凌也成为了特斯拉的 SiC 功率半导体供货商。整个功率模块单元由单管模块组成，选用规范6-switches 逆变器拓扑，每个switch由4颗单管模块组成，共24 颗单管模块，器材耐压为650V。Model 3的 SiC 单管模块规划与Model S/X选用Infineon IGBT单管思路共同，优点是完结不同功率等级的可扩展，一起还能进步模块封装良率，下降半导体器材本钱。

? 比亚迪汉选用SiC MOSFET 进步加快功能、功率及续航才能。

?? ?2020 年，比亚迪汉 EV 车型电机操控器初次运用了比亚迪自主研制并制作的SiC MOSFET 操控模块，大大进步了电机功能。

?? 碳化硅加快功能好。宽禁带最直接的优点，有更高的击穿场强，也便是耐高压，便是能够操控更高的体系电压。比亚迪汉能够运用650V电压渠道，也有碳化硅的劳绩。高电压意味着低电流，能削减设备电阻的损耗。对电机规划来说，也更简单在小体积下完结更高功率，也因而，比亚迪汉能够轻松完结3.9S的 0–100 加快功能。

?? 碳化硅可完结大概率及高续航。除了宽禁带带来的优势外，碳化硅还有两大优势，一个是饱满电子速度更高，一个是导热率更高、耐温功能更高。饱满电子速度快，也便是能够经过更大的电流。碳化硅资料的电子饱满速度是硅资料的两倍，因而在设备规划时，匹配的电流强度更简单远离设备的饱满电流，也就能完结在导通状态下更低的电阻。这能削减电能的损耗，也有助于下降设备发热，简化散热规划。特别是在瞬时大电流状况下，设备温度堆集削减，再加上耐温性添加与资料自身更强的导热率，也让设备散热更简单。车辆也就能迸宣告更大的功率。这是比亚迪汉能完结363Kw功率的原因。运用磷酸铁锂的状况下能到达605公里的续航路程，显着也有碳化硅的劳绩。

??丰田燃料电池车Mirai车型选用碳化硅模块

???电装现已开端批量出产搭载了SiC（碳化硅）功率半导体的新一代升压功率模块，该模块将运用于丰田燃料电池车Mirai车型。电装与丰田的SiC功率模块的运用历经HEV、燃料电池巴士和燃料电池乘用车。新Mirai的新一代固态燃料电池中心组件Toyota FC Stack搭配了运用多个SiC功率半导体的FC升压变换器。升压变换器作用是输出高于输入电压的电压。?

?? 功率模块体积缩小了30%，损耗下降了70%。依据电装的测算，与选用Si基功率半导体的产品比较，搭载了SiC功率半导体（含二极管和晶体管）的新式升压功率模块体积缩小了约30%，损耗下降了约70%，在完结功率模块小型化的一起进步了车辆的燃油功率。

?? 搭载SiC模块的新Mirai续航路程进步30%。丰田表明，经过在FC升压变压器中运用SiC半导体，选用锂离子低压蓄电池等方法，下降体系能耗丢失。一起，在进步FC电堆功能的基础上，经过选用触媒活性再生操控技能，进步发电功率。然后丰田完结了新Mirai WLTC工况最高续航路程约850km，较上一代车型进步约30%。?

3.2 电动轿车快速展开，碳化硅迎来展开良机

?? ?依据Infineon数据，2020年，48V轻混轿车需求添加90美元功率半导体，电动轿车或许混动需求添加330美元功率半导体。假如要选用碳化硅器材，单车价值量则更高。

?? 2019年，全球电动轿车到达221万辆，同比添加10%，我国新能源轿车出售120.6万辆，同比下降了4.0%。

?? 2020年11月，新能源轿车产销别离完结19.8万辆和20万辆，同比别离添加75.1%和104.9%。2020年1-11月，新能源轿车产销别离完结111.9万辆和110.9万辆，其间产值同比下降0.1%，销量同比添加3.9%。

???彭博新能源财经（BloombergNEF）猜测，2025年全球新能源轿车有望到达1100万辆，我国占50%，2030年有望到达2800万辆，2040年将到达5600万辆。到时，电动轿车销量将占到悉数新车销量的57％。?

四、碳化硅商场被世界巨子占有，国内企业大力布局，奋勇赶上

4.1美国CREE一家独大，欧、美、日系企业优势显着

??美国公司占全球 SiC 产值的 70%~80%。在 SiC范畴，欧美日企业抢先，其间美国优势最为显着。全球 SiC 产值的 70%~80%来自美国公司，海外 SiC单晶衬底企业首要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel等；外延片企业首要有DowCorning、II-VI、Norstel、Cree、罗姆、三菱电机、Infineon等；器材方面相关首要企业包含Infineon、Cree、罗姆、意法半导体等。?

???世界大厂纷繁布局SiC。2019 年 9 月，科锐与德尔福科技宣告展开轿车碳化硅器材协作；2020年12 月，科锐成为群众轿车集团FAST（未来轿车供给链）项目 SiC 独家协作伙伴。博世也正在研制碳化硅产品。其他世界大厂如ROHM、英飞凌、ST、安森美等均已活跃推行SiC新器材，聚集在高工艺、定制化、稳供给上。国内厂商也在活跃布局，奋勇赶上。

???Cree（科锐）10亿美元加码碳化硅事务。2019年，碳化硅大厂Cree（科锐）宣告将出资10亿美元扩展碳化硅产能，在美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市制作一座选用最先进技能的自动化200mm SiC碳化硅出产工厂和一座资料超级工厂。这是Cree有史以来最大的出产出资，将为Wolfspeed碳化硅和碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）事务供给动能。

???全球功率半导体范畴排名第二的安森美半导体，在SiC MOSFET布局上也成绩斐然。2020年第一季度安森美发布了900V SiC MOSFET技能，并将于下半年发布650V SiC MOSFET技能。其间，安森美与客户协作的碳化硅运用规模现已从常见的轿车牵引逆变器、电动轿车(EV)车载充电、电动轿车充电桩(EVC)、光伏和云核算等，逐步面向专业音频、专业照明、医疗、电动工具、电器、辅佐电机等运用范畴。

???ROHM早于2010年开端量产SiC MOSFET，2012年开端供给契合AEC-Q101规范的车载级产品，与国表里轿车企业深度协作，2020年ROHM推出的“1200V第四代SiC MOSFET”经过大幅削减寄生电容来下降约50％的开关损耗，兼具了低导通电阻和高速开关功能，适用于包含主机逆变器在内的轿车动力总成体系和工业设备的电源。

???多款SiC器材新品推出，器材供给敏捷上量。Mouser 数据显现，2019 年各厂家在售的各类 SiC、GaN 产品（含功率电子和微波射频，不含 LED）现已挨近1300 款，较 2017 年添加了 6 成，仅 2019 年就新增了 321 款新品。

?? 英飞凌估计2021财年SiC出售额到达1.5亿欧元。英飞凌的方针是将SiC的出售额从2020财年的8000万欧元添加至2021财年的1.5亿欧元，其间一半将来自轿车业。

?英飞凌看好沟槽式SiC展开。有关平面与沟槽的争辩，英飞凌看好沟槽式SiC的商场前景，尽管一些客户依然对特定运用更喜爱平面，但不断添加的本钱优势和沟槽技能的超卓体现意味着职业气势终究将转向沟槽。英飞凌的第一代沟槽解决方案不仅在现在首要运用平面技能的竞赛对手中丢失最少，并且仍是唯一在Rohm以外运用沟槽解决方案的公司。英飞凌现已在其第二代解决方案的高档开发中（功率才能进步了25-30％），进一步稳固了其行进的优势。

?? 2020年上半年SiC晶片Cree占比45%。依据半导体年代工业数据中心数据显现：2020上半年全球半导体SiC晶片商场比例，美国CREE出货量占有全球45%，日本罗姆子公司SiCrystal占有20%，II-VI占13%；我国企业天科合达的商场占有率由2019年3%上升至2020年上半年的5.3%，山东天岳占比为2.6%。现在国内出货量比较大或许比较闻名的晶圆衬底企业有天科合达、山东天岳、河北同光、东莞天域、河北普兴、中科钢研、中电科二所和南砂晶圆等。

???国内供货商市占率进步较快。依据Yole数据，2018年导电型SiC晶片，美国占有全球碳化硅晶片产值的70%以上，仅CREE公司就占有一半以上商场比例，剩下比例大部分被日本和欧洲的其他碳化硅企业占有。从以上数据比照可知，国内以天科合达和山东天岳为主的SiC晶片厂商展开速度较快，市占率进步显着。

4.2我国大力布局碳化硅，工业链逐步完善

???我国SiC工业链正在逐步完善。我国企业在单晶衬底方面以4英寸为主，现在现已开宣告了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底。山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能均已完结6英寸衬底的研制，中电科配备研制出6英寸半绝缘衬底。外延片方面，我国瀚天天成、东莞天域半导体、国民天成均可供给4-6英寸外延片。模块方面有斯达半导体、比亚迪电子、中车年代电气等公司。三安光电在SiC方面也在深度布局。

??国内IGBT龙头斯达半导体布局SiC。2020年12月18日，斯达半导体发布公告，方案出资制作全碳化硅功率模组工业化项目，总出资2.29亿元，制作年产8万颗车规级全碳化硅功率模组出产线和研制测试中心，项目将依照商场需求逐步投入。

?? ??猜测2025年我国碳化硅晶片占全球比将从2020年的8.6%进步至16%。依据半导体年代工业数据中心，猜测2020年我国碳化硅晶片在半导体范畴的出货量13万片，仅占全球8.67%；猜测2025年出货量80万片，2020-2025年复合添加率为43.8%，远高于全球27.2%复合添加率，我国出货量占有率上升至16%。

五、看好职业细分龙头

5.1出资主张

?? SiC工业有望在新能源车、光伏、轨交等范畴的需求拉动下迎来快速展开，猜测2027年全球SiC器材商场规划到达100亿美元。现在欧美日企业占有主导地位，国内SiC工业链逐步完善，企业快速展开，市占率进步较快，天科合达的SiC晶片全球市占率从2018年的1.7%进步到了2020年上半年的5.3%，天科合达的SiC晶片全球市占率从2018年的0.5%进步到了2020年上半年的2.6%。猜测2025年我国碳化硅晶片占全球比将从2020年的8.6%进步至16%。

?? ?看好全球SiC优质公司：科锐（Cree）、意法半导体（STMicro）、英飞凌（Infineon）、斯达半导、三安光电、华润微、中车年代电气、天科合达（未上市）、山东天岳（未上市）、泰科天润（未上市）。

5.2危险提示

?? ?SiC技能难度较大，国内开展缓慢；

?? ?SiC本钱居高不下，各范畴运用开展不达预期；

?? ?SiC扩产项目较多，竞赛鼓励，产能过剩；

?? ?新能源车展开不达预期、光伏、轨交等范畴SiC浸透率不达预期；

?? ?SiC工业需求持续性投入。

公司出资评级的阐明：

买入：预期未来6－12个月内上涨起伏在15%以上；?

增持：预期未来6－12个月内上涨起伏在5%－15%；?

中性：预期未来6－12个月内变化起伏在-5%－5%；?

减持：预期未来6－12个月内跌落起伏在5%以上。?

职业出资评级的阐明：

买入：预期未来3－6个月内该职业上涨起伏超越大盘在15%以上；

增持：预期未来3－6个月内该职业上涨起伏超越大盘在5%－15%；

中性：预期未来3－6个月内该职业变化起伏相对大盘在 -5%－5%；

减持：预期未来3－6个月内该职业跌落起伏超越大盘在 5%以上。

立异技能研讨团队：樊志远（电子首席）/刘妍雪 / 邓小路

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三安光电(600703.SH)发布公告，依据公司与长沙高新技能工业开发区办理委员会签定的《项目出资制作合同》，长沙高新技能工业开发区办理委员会赞同拨付公司全资子公司湖南三安半导体有限职责公司(简称“湖南三安”)工业扶持资金10,000万元。该笔金钱湖南三安已于2020年12月30日收到。

厦门火炬高技能工业开发区办理委员会为支撑公司全资子公司厦门三安光电有限公司(简称“厦门三安”)的展开，赞同拨交给厦门三安投产奖赏等补助款13,116.27万元。该笔金钱厦门三安已于2020年12月31日收到。